全硅MEMS振蕩器結(jié)構(gòu)

MEMS硅振蕩器是由 MEMS硅晶圓和 CMOS晶圓上下疊加而成，而CMOS晶圓則包括了NON Memory、PLL 鎖相環(huán)電路、起振電路與溫補(bǔ)電路。

MEMS硅振蕩器由兩部分組成：諧振器部分和IC振蕩部分。諧振器部分為MEMS硅晶圓，IC振蕩部分為CMOS晶圓。